3D-Micromac為microDICE TLS激光系統(tǒng)引入了新的Clean Scribe技術

　　3D Micromac，在激光微加工和卷對卷式激光加工為光伏行業(yè)，醫(yī)療技術和電子制造系統(tǒng)的領先供應商，已經(jīng)推出了新的專利正在申請今天抄寫清潔技術。

　　Clean Scribe技術是一種可以實現(xiàn)碳化硅晶圓無顆粒激光洗滌的工藝 - 無需使用昂貴的晶圓保護涂層。清理抄寫技術在3D Micromac的microDICE?-Lasermikrobearbeitungssystem其中（熱激光束分離）用于使用TLS-切割?工藝的晶片的快速，成本有效的無缺陷的分離成芯片。吞吐量不會受到使用新型Clean-Scribe技術的影響。斯圖加特激光加工展覽會

　　“混合動力和電動汽車，提高燃油性能和駕駛員的安全使用電子車輛系統(tǒng)中增加的消費需求也推動了對空氣中的SiC基器件的需求，”漢斯 - 烏爾里希·Zühlke，產(chǎn)品經(jīng)理在3D Micromac說明?！皩崿F(xiàn)電力電子元件生產(chǎn)的最高收益是首要任務。同時降低SiC電力電子制造工藝的成本，我們正在推動這些先進技術的推廣。我們新的Clean Scribe技術是3D Micromac愿意繼續(xù)開發(fā)我們的TLS切割工藝以獲得更高收益的最新示例，

　　激光劃片技術的新途徑

　　劃線是切割晶圓的基本方法。3D-Micromac的激光微加工（TLS）是一個兩步過程，首先通過切割線中的激光燒蝕插入初始劃線。通常情況下，這種“干式”激光劃片過程會在晶圓表面產(chǎn)生少量顆粒。在第二步中，CW激光器沿著該劃線加熱材料。同時，去離子水（DI）氣溶膠冷卻晶片表面。這導致了晶片的分裂。

　　為了提高間隙的可靠性和直線度，可以在切割道路的整個長度上將初始劃線插入材料中。這種一致的劃線可以導致更高的顆粒數(shù)量，對于某些特別苛刻的SiC應用來說這可能太高。為避免這種情況，早些時候激光劃線的速度可能會受到抑制，或者施加額外的晶片涂層以避免顆粒落在切割線上。后者增加了分離過程的復雜性并且還導致更高的制造成本。

　　3D Micromac的新的清潔抄寫技術使用申請專利的激光劃片工藝，其中聚酰亞胺和金屬顆粒消除在切割道和一個實際上不含粒子的表面 - 無需使用昂貴的保護涂層 - 保證。清潔抄寫技術取代的“干” Laserscribe，通過利用使用去離子（DI）水的極少量（小于20毫升/分鐘），以除去激光燒蝕過程中形成的粒子的氣溶膠噴霧。由于TLS工藝也使用去離子水分離晶圓，因此不需要額外的系統(tǒng)或消耗品進行清潔劃片技術。Clean Scribe可以實現(xiàn)這些結果，而不會產(chǎn)生吞吐量損失 - 因此可以實現(xiàn)高達每秒300毫米的分離速度。因此給出了3D-Micromac的microDICE系統(tǒng)中Clean Scribes與TLS方法的兼容性。

　　與傳統(tǒng)的晶圓分離技術相比，TLS Dicing保證了更高的產(chǎn)量，更高的產(chǎn)量和更強大的功能。因此，與機械圓鋸相比，TLS的吞吐量高達15倍?；诩す獾腡LS工藝非接觸式工作，無需接觸工具，不需要昂貴的耗材進行表面清潔。這樣可以在SiC器件的制造過程中節(jié)省大量成本。

　　與所述清潔抄寫技術組合，所述TLS-切割完美的碳化硅的分離碳化硅（SiC），用于與傳統(tǒng)技術切割晶片合適合適由特別硬而脆的材料僅部分。因此，3D-Micromac的microDICE系統(tǒng)是用于處理電力電子，太陽能逆變器和光電子的基于SiC的組件的不可或缺的工具。